Samsung SSD 1TB 7.4/6.9G 990 PRO M.2 SAM NVMe
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Samsung SSD 1TB 7.4/6.9G 990 PRO M.2 SAM NVMe

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Technische Daten
Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 1 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Allgemein Merkmale 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22 mm Allgemein Tiefe 80 mm Allgemein Höhe 2.3 mm Allgemein Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Leistung Übertragungsrate Laufwerk 8 GBps (extern) Leistung Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 1200000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 1550000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.4 Watt (Lesen)
5 Watt (Schreiben)
50 mW (Leerlauf)
5 mW (L1.2-Modus)
Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC Verschiedenes Verpackungsdetails Box Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Min. Lagertemperatur -40 °C Umgebungsbedingungen Max. Lagertemperatur 85 °C Umgebungsbedingungen Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Umgebungsbedingungen Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz
Hauptmerkmale
Produktbeschreibung Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 8 GBps Merkmale 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Gewicht 9 g
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Unsere erfahren Vertriebsmitarbeiter stehen Ihnen für sämtliche Fragen zur Verfügung.
Sie erreichen uns telefonisch, per Fax oder E-Mail von Montag bis Freitag zwischen 09:00 und 18:00 Uhr und Samstag zwischen 09:00 und 14:00.

 

Für Geschäftskunden (z.B. AG, GmbH, OHG, KG usw.) und Wiederverkäufer bieten wir Sonderkonditionen und Projektpreise an. Auch wenn Sie besondere Anforderungen für den Bestellprozess haben, sind wir flexibel und finden mit Ihnen gemeinsam die optimale Lösung. So z.B.

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Herstellerinformationen

Name: Samsung Electronics Co., Ltd.
Hauptsitz: Samsung Digital City, Suwon, Südkorea
Website: www.samsung.com
Support: Samsung Support

Produkt-Sicherheitsstandards

Zertifizierungen: CE, RoHS, WEEE
Geprüfte Konformität: Entspricht den geltenden Sicherheitsstandards.

Risikobewertung

Elektrisch: Schutz vor Kurzschlüssen und Überhitzung.
Chemisch: Keine gefährlichen Substanzen bei normalem Gebrauch.
Thermisch: Effektive Wärmeableitung gewährleistet.

Warnhinweise und Anweisungen

Verwenden Sie nur Originalzubehör von Samsung.
Vermeiden Sie extreme Temperaturen oder Feuchtigkeit.
Entsorgen Sie das Produkt gemäß den lokalen Vorschriften für Elektroschrott.

Produktherkunft

Modell-/Seriennummer: Siehe Produktetikett.
Produktionsstandorte: Südkorea, Vietnam, China.

Verantwortliche Person in der EU

Name: Samsung Electronics GmbH
Adresse: Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Deutschland
Telefonnummer: +49 (0)6196 66 3300
E-Mail: support@samsung.de

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