Samsung SSD 2TB 7.4/6.9G 990 PRO M.2 SAM NVMe

Vorschau: Samsung SSD 2TB 7.4/6.9G 990 PRO M.2 SAM NVMe

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Samsung SSD 2TB 7.4/6.9G 990 PRO M.2 SAM NVMe

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Artikel-Nr.: 333388
Herstellernummer: MZ-V9P2T0BW
EAN: 8806094215038

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Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 2 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Allgemein Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22 mm Allgemein Tiefe 80 mm Allgemein Höhe 2.3 mm Allgemein Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 1200 TB Leistung Übertragungsrate Laufwerk 8 GBps (extern) Leistung Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 1400000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 1550000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.8 Watt (Lesen)
5.1 Watt (Schreiben)
55 mW (Leerlauf)
5 mW (L1.2-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC Verschiedenes Verpackungsdetails Box Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Min. Lagertemperatur -40 °C Umgebungsbedingungen Max. Lagertemperatur 85 °C Umgebungsbedingungen Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Umgebungsbedingungen Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

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Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 8 GBps Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Gewicht 9 g

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