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Samsung 990 EVO 1 TB (PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2, M.2

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Artikel-Nr.: 349725
Herstellernummer: MZ-V9E1T0BW
EAN: 8806095300276

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Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 1 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22 mm Allgemein Tiefe 80 mm Allgemein Höhe 2.38 mm Allgemein Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 5000 MBps (lesen)/ 4200 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 20000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 90000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Write 800000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 680000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen)
4.7 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Verschiedenes Verpackungsdetails Box Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms

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Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g

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