1000 GB Samsung SSD 1TB 970 EVO PLUS M.2 SAM | NVMe

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1000 GB Samsung SSD 1TB 970 EVO PLUS M.2 SAM | NVMe

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Artikel-Nr.: 244586
Herstellernummer: MZ-V7S1T0BW
EAN: 8801643628086

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So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

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Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 1 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Allgemein Puffergröße 1 GB Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22.15 mm Allgemein Tiefe 80.15 mm Allgemein Höhe 2.38 mm Allgemein Gewicht 8 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Leistung Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 19000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 60000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Write 550000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 600000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 6 Watt (Durchschnitt)
9 Watt (Maximum)
30 mW (Inaktivität Maximum) Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

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Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Puffergrösse 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 8 g

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