1000 GB Samsung SSD 1TB 970 EVO PLUS M.2 SAM | NVMe

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1000 GB Samsung SSD 1TB 970 EVO PLUS M.2 SAM | NVMe

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Artikel-Nr.: 244586
Herstellernummer: MZ-V7S1T0BW
EAN: 8801643628086

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So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

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Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 1 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Allgemein Puffergröße 1 GB Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22.15 mm Allgemein Tiefe 80.15 mm Allgemein Höhe 2.38 mm Allgemein Gewicht 8 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Leistung Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 19000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 60000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Write 550000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 600000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 6 Watt (Durchschnitt)
9 Watt (Maximum)
30 mW (Inaktivität Maximum) Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

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Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Puffergrösse 1 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 8 g

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Rechnungskauf mit Zahlungszielen bis zu 30 Tagen
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Unsere erfahren Vertriebsmitarbeiter stehen Ihnen für sämtliche Fragen zur Verfügung.
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Für Geschäftskunden (z.B. AG, GmbH, OHG, KG usw.) und Wiederverkäufer bieten wir Sonderkonditionen und Projektpreise an. Auch wenn Sie besondere Anforderungen für den Bestellprozess haben, sind wir flexibel und finden mit Ihnen gemeinsam die optimale Lösung. So z.B.

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Herstellerinformationen

Name: Samsung Electronics Co., Ltd.
Hauptsitz: Samsung Digital City, Suwon, Südkorea
Website: www.samsung.com
Support: Samsung Support

Produkt-Sicherheitsstandards

Zertifizierungen: CE, RoHS, WEEE
Geprüfte Konformität: Entspricht den geltenden Sicherheitsstandards.

Risikobewertung

Elektrisch: Schutz vor Kurzschlüssen und Überhitzung.
Chemisch: Keine gefährlichen Substanzen bei normalem Gebrauch.
Thermisch: Effektive Wärmeableitung gewährleistet.

Warnhinweise und Anweisungen

Verwenden Sie nur Originalzubehör von Samsung.
Vermeiden Sie extreme Temperaturen oder Feuchtigkeit.
Entsorgen Sie das Produkt gemäß den lokalen Vorschriften für Elektroschrott.

Produktherkunft

Modell-/Seriennummer: Siehe Produktetikett.
Produktionsstandorte: Südkorea, Vietnam, China.

Verantwortliche Person in der EU

Name: Samsung Electronics GmbH
Adresse: Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Deutschland
Telefonnummer: +49 (0)6196 66 3300
E-Mail: support@samsung.de