Vorschau: Samsung SSD 4TB 530/560 870 QVO SA3 SAM

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Samsung SSD 4TB 530/560 870 QVO SA3 SAM

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Artikel-Nr.: 281965
Herstellernummer: MZ-77Q4T0BW
EAN: 8806090396021

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Die 870 QVO von Samsung, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation, ist ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.

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Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 4 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Allgemein Formfaktor 2.5" (6.4 cm) Allgemein Schnittstelle SATA 6Gb/s Allgemein Puffergröße 4 GB Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 Allgemein Breite 69.85 mm Allgemein Tiefe 100 mm Allgemein Höhe 6.8 mm Allgemein Gewicht 54 g Leistung SSD-Leistung 1.44 PB Leistung Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 11000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 35000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld 2.5" (6.4 cm) Stromversorgung Energieverbrauch 3.3 Watt (Durchschnitt)
5.5 Watt (Maximum)
0.045 Watt (Leerlauf) Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (in Betrieb) 0,5 ms Sinushalbwellen Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms

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Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW - SSD - 4 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor 2.5" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Puffergrösse 4 GB Merkmale TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm Gewicht 54 g

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