250 GB Samsung SSD 1.5/3.4G 970 EVO PLUS M.2 SAM NVMe
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250 GB Samsung SSD 1.5/3.4G 970 EVO PLUS M.2 SAM NVMe

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  • MZ-V7S250BW
  • 8801643628079
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
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Technische Daten
Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 250 GB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Allgemein Puffergröße 512 MB Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22.15 mm Allgemein Tiefe 80.15 mm Allgemein Höhe 2.38 mm Allgemein Gewicht 8 g Leistung SSD-Leistung 150 TB Leistung Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben) Leistung 4 KB Random Read 17000 IOPS Leistung 4 KB Random Write 60000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Write 550000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 250000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5 Watt (Durchschnitt)
8 Watt (Maximum)
30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Hauptmerkmale
Produktbeschreibung Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - SSD - 250 GB - PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 250 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe) Puffergrösse 512 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 8 g
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