Samsung 9100 PRO 4 TB (PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, M.2 2280)
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Samsung 9100 PRO 4 TB (PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, M.2 2280)

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Technische Daten
Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Allgemein Kapazität 4 TB Allgemein Hardwareverschlüsselung Ja Allgemein Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Allgemein NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Allgemein Formfaktor M.2 2280 Allgemein Schnittstelle PCI Express 5.0 x4 (NVMe) Allgemein Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Allgemein Breite 22.15 mm Allgemein Tiefe 80.15 mm Allgemein Höhe 2.38 mm Allgemein Gewicht 9 g Leistung SSD-Leistung 2400 TB Leistung Interner Datendurchsatz 14800 MBps (lesen)/ 13400 MBps (Schreiben) Leistung Maximal 4 KB Random Write 2600000 IOPS Leistung Maximal 4 KB Random Read 2200000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 9 Watt (Lesen)
8.2 Watt (Schreiben)
6.5 Watt (Leerlauf)
5.7 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Verschiedenes Farbe Schwarz Verschiedenes Verpackungsdetails Box Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Umgebungsbedingungen Max. Betriebstemperatur 70 °C Umgebungsbedingungen Min. Lagertemperatur -40 °C Umgebungsbedingungen Max. Lagertemperatur 85 °C Umgebungsbedingungen Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Umgebungsbedingungen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen Umgebungsbedingungen Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz
Hauptmerkmale
Produktbeschreibung Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 - SSD - 4 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 5.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Farbe Schwarz Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g
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Herstellerinformationen

Name: Samsung Electronics Co., Ltd.
Hauptsitz: Samsung Digital City, Suwon, Südkorea
Website: www.samsung.com
Support: Samsung Support

Produkt-Sicherheitsstandards

Zertifizierungen: CE, RoHS, WEEE
Geprüfte Konformität: Entspricht den geltenden Sicherheitsstandards.

Risikobewertung

Elektrisch: Schutz vor Kurzschlüssen und Überhitzung.
Chemisch: Keine gefährlichen Substanzen bei normalem Gebrauch.
Thermisch: Effektive Wärmeableitung gewährleistet.

Warnhinweise und Anweisungen

Verwenden Sie nur Originalzubehör von Samsung.
Vermeiden Sie extreme Temperaturen oder Feuchtigkeit.
Entsorgen Sie das Produkt gemäß den lokalen Vorschriften für Elektroschrott.

Produktherkunft

Modell-/Seriennummer: Siehe Produktetikett.
Produktionsstandorte: Südkorea, Vietnam, China.

Verantwortliche Person in der EU

Name: Samsung Electronics GmbH
Adresse: Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Deutschland
Telefonnummer: +49 (0)6196 66 3300
E-Mail: support@samsung.de

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